10W-1064-01 硅片透射系列檢測模組
PL(光致發(fā)光)檢測是一種基于光學激發(fā)和高靈敏相機成像的非接觸式檢測方法,廣泛應用于硅片、太陽能電池片以及其他半導體材料的質(zhì)量檢測。
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10W功率可選范圍
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1064±5nm中心波長
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10nm半波全寬
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產(chǎn)品優(yōu)勢
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產(chǎn)品應用
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產(chǎn)品參數(shù)
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相關產(chǎn)品
產(chǎn)品優(yōu)勢
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非接觸式檢測
PL檢測采用非接觸式的方法,對硅片不造成任何物理損傷或污染,確保樣品在檢測過程中保持完好
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高靈敏度
PL檢測能夠發(fā)現(xiàn)微米級別甚至納米級別的缺陷和雜質(zhì),其靈敏度遠高于傳統(tǒng)方法
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快速高效
PL檢測可以在短時間內(nèi)處理大量樣品,大幅提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量控制的效率
產(chǎn)品應用
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檢測模組相機捕捉示意圖 -
光伏檢測模組 -
光伏檢測
產(chǎn)品參數(shù)
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450nm—100W
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型號(W)
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中心波長(nm)
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中心波長偏差
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平均功率(W)
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典型工作距離(mm)
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出光口尺寸(mm)
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可檢硅片尺寸(mm)
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配電需求(V)
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IO接口
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平均功耗(W)
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出光控制方式
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功率調(diào)節(jié)方式
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工作溫濕度(℃)
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控制器三維尺寸 (L×W×H)(mm)
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光學模組三維尺寸 (L×W×H)(mm)
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重量(kg)
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適用工藝
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450nm—100W
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型號(W)15
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中心波長(nm)1064
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中心波長偏差±5
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平均功率(W)15
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典型工作距離(mm)10~25
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出光口尺寸(mm)280×10
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可檢硅片尺寸(mm)≤230
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配電需求(V)220
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IO接口白 0~24V+/黑 0~0.5V-
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平均功耗(W)150
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出光控制方式GUI/編碼開關 IO接口
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功率調(diào)節(jié)方式GUI/編碼開關
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工作溫濕度(℃)20~30;<80%
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控制器三維尺寸 (L×W×H)(mm)218×122×111
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光學模組三維尺寸 (L×W×H)(mm)316×33×138
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重量(kg)≈4
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適用工藝硅原片及制絨后的硅片
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相關產(chǎn)品
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